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  ADI晶圓核心芯片簡(jiǎn)要梳理 2021-06-24 17:15:30

  根據(jù)NVIDIA和AMD宣布的技術(shù)路線圖，GPU將于2018年進(jìn)入12 nm/7nm工藝。目前，AI、與采礦機(jī)相關(guān)的FPGA和ASIC芯片也在使用10~28 nm的先進(jìn)工藝。國(guó)內(nèi)制造商已經(jīng)出現(xiàn)了寒武紀(jì)、深鑒科技、地平線、比特大陸等優(yōu)秀的集成電路設(shè)計(jì)制造商以實(shí)現(xiàn)突破，而制造主要依靠臺(tái)積電和其他先進(jìn)工藝合同制造商。

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  IRLML6401TRPBF：12V單通道P溝道功率MOSFET 2024-11-08 09:15:26

  IRLML6401TRPBF是一款由英飛凌科技推出的12V單P溝道功率MOSFET，采用SOT-23封裝，專為低功耗和低頻率應(yīng)用設(shè)計(jì)，具備寬廣的安全工作區(qū)域、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證、低頻應(yīng)用中的高性能等特點(diǎn)，適用于DC開關(guān)、負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用，技術(shù)規(guī)格包括最大漏極電流-4.3A、導(dǎo)通電阻最大50mΩ等，非常適合電源管理、電機(jī)控制和電池供電設(shè)備。