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  SiC MOSFET與Si IGBT對比：SiC MOSFET的優勢 2023-12-14 09:45:07

  隨著自動化制造、電動汽車、先進建筑系統和智能家電等行業的發展，對提高這些機電設備的控制、效率和功能的需求也在增長。本文探討了碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)的突破如何重新定義了歷來使用硅IGBT(Si IGBT)進行功率逆變的電動機的能力。這項創新擴展了幾乎每個行業的電機驅動應用的能力。

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  MEMS與晶體振蕩器的區別 2024-03-04 08:46:58

  MEMS和石英晶體振蕩器都可以通過溫度補償實現低于1 PPM的穩定性，或者使用烤箱控制達到PPB級別的精度。晶體振蕩器可分為TCXO和OCXO兩種，而類似補償的MEMS則用XO表示。