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Ampleon CLF3H0035-100寬帶射頻功率GaN HEMT晶體管現(xiàn)貨

發(fā)布時間：2025-04-17 09:31:20 瀏覽：2076

　　Ampleon的CLF3H0035-100和CLF3H0035S-100是兩款高性能的寬帶射頻功率氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)，適用于多種射頻功率應(yīng)用。

Ampleon CLF3H0035-100寬帶射頻功率GaN HEMT晶體管現(xiàn)貨

　　產(chǎn)品概述

　　型號：CLF3H0035-100和CLF3H0035S-100。

　　功率：兩款晶體管均提供100 W的射頻功率。

　　頻率范圍：覆蓋從直流(DC)到3.5 GHz的寬帶頻率范圍，適用于多種通信和雷達系統(tǒng)。

　　應(yīng)用場景：支持連續(xù)波(CW)和脈沖應(yīng)用，適合高功率射頻信號的放大和傳輸。

　　特點與優(yōu)勢

　　高功率輸出：在1 dB增益壓縮點的標稱輸出功率為100 W，能夠滿足高功率射頻應(yīng)用的需求。

　　高效率：在100 W輸出功率下，漏極效率典型值為57%，這意味著在高功率輸出時仍能保持較低的能耗。

　　低熱阻：采用熱增強型封裝，能夠有效散熱，確保在高功率運行時的穩(wěn)定性和可靠性。

　　高可靠性：具備出色的堅固性，能夠在復雜的環(huán)境條件下穩(wěn)定工作。

　　寬帶操作：設(shè)計用于覆蓋從直流到3.5 GHz的頻率范圍，能夠滿足多種應(yīng)用需求，如通信、雷達和測試設(shè)備等。

　　符合環(huán)保標準：符合RoHS標準，符合環(huán)保要求。

　　參數(shù)規(guī)格

參數(shù)	符號	條件	最小值	典型值/額定值	最大值	單位
頻率范圍	frange	-	0	-	3500	MHz
1 dB增益壓縮點的標稱輸出功率	PL(1dB)	-	-	100	-	W
漏源電壓	VDS	-	-	50	-	V
輸出功率	PL	-	-	118	-	W
功率增益	Gp	PL = 100 W	14	15	-	dB
漏極效率	ηD	PL = 100 W	52	57	-	%
輸入回波損耗	RLin	PL = 100 W	-12	-10	-8	dB

Ampleon是一家全球領(lǐng)先的射頻和功率半導體解決方案提供商，提供包括射頻功率放大器、收發(fā)器、射頻開關(guān)、驅(qū)動電路和功率控制器等在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品線，適用于4G LTE、5G NR基礎(chǔ)設(shè)施、廣播、工業(yè)等多個領(lǐng)域，深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢分銷Ampleon產(chǎn)品線，歡迎咨詢了解。

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